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PMV65UNE	文件：723.17 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：723.17 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65UNEA	文件：258.14 Kbytes Page：15 Pages	丝印：EM%；Package：TO-236AB；20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：258.14 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65UNEA	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65UNEA	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV65UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Enhanced power dissipation capability of 940 mW\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV65UNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 20 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Trench MOSFET technology\n·Low threshold voltage\n·Enhanced power dissipation capability of 940 mW\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2KV HBM\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
73
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
83
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
3.4
QGD [typ] (nC)：
0.90000004
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.8
Ptot [max] (W)：
0.49
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
291
Coss [typ] (pF)：
52
Release date：
2016-04-25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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