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PMV52ENER	文件：268.5 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：268.5 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV55ENEAR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	NEXPERIA 安世上传：深圳市恒诺芯科技有限公司	NEXPERIA
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