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PMV40UN

TrenchMOS™ ultra low level FET

1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMV40UNinSOT23. 1.2Features 1.3Applications nUltralowlevelthresholdnSurfacemountpackage. nBatterymanagementnHigh-speedswitch.

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMV40UN

TrenchMOS ultra low level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PMV40UN

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

PMV40UN

TrenchMOS??ultra low level FET

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

PMV40UN2

Marking:K8;Package:SOT23;30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •Enhan

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMV40UN2

30 V, N-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

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PMV40UN2_15

30 V, N-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

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详细参数

  • 型号:

    PMV40UN

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT23
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更多PMV40UN供应商 更新时间2025-7-22 10:21:00