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PMV37ENE	文件：271.5 Kbytes Page：15 Pages	Marking：3M；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFETtechnology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV37ENEA	文件：1.92811 Mbytes Page：5 Pages	Marking：6003；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotection orinotherSwitchingapplication. PMV37ENEA GeneralFeatures VDS=60VID=3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PMV37ENEA	文件：272.85 Kbytes Page：15 Pages	Marking：HS；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：3M；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFETtechnology

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Marking：6003；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotection orinotherSwitchingapplication. PMV37ENEA GeneralFeatures VDS=60VID=3A RDS(ON)

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Marking：HS；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Trench MOSFET

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更多PMV37ENE供应商更新时间2025-5-23 10:34:00

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