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PMV37ENE	文件：271.5 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3M；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：271.5 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV37ENEA	文件：1.92811 Mbytes Page：5 Pages	丝印：6003；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The uses advanced trench techno logy to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. PMV37ENEA General Features VDS = 60V ID =3A RDS(ON) 文件：1.92811 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
PMV37ENEA	文件：272.85 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HS；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：272.85 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV37ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV37ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
49
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
64
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
3.5
QGD [typ] (nC)：
1.8000001
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
8.8
Ptot [max] (W)：
0.71
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
450
Coss [typ] (pF)：
49
Release date：
2021-11-29

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更多PMV37ENE供应商更新时间2025-10-10 14:00:00

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