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PMV164ENE	文件：273.75 Kbytes Page：15 Pages	丝印：5F；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：273.75 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV164ENEA	文件：275.02 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HU；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：275.02 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV164ENEAR	文件：275.02 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：275.02 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV164ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV164ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
218
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
262
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
1.6
QGD [typ] (nC)：
0.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
2.5
Ptot [max] (W)：
0.64
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
110
Coss [typ] (pF)：
16
Release date：
2021-11-29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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