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PMN55ENE	文件：276.05 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3J；Package：SOT457；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •Electr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN55ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMN55ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET; • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMN55ENEA	文件：281.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：J4；Package：SC-74；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT457
Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
70
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
4.5
Q_GD [typ] (nC)：
2.4
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
12.7
P_tot [max] (W)：
0.56
V_GSth [typ] (V)：
1.7
C_iss [typ] (pF)：
646
C_oss [typ] (pF)：
49
Date：
2017-12-18

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