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PMN48XPA2	文件：292.05 Kbytes Page：15 Pages	丝印：6E；Package：SC-74；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Very fast swit 文件：292.05 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN48XPA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV48XPA2	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2	文件：287.87 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：287.87 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2R	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
55
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
-4.4
QGD [typ] (nC)：
2.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
7
Ptot [max] (W)：
0.66
Qr [typ] (nC)：
2
VGSth [typ] (V)：
-0.95
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
679
Coss [typ] (pF)：
87
Release date：
2020-04-20

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