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PMN40ENA	文件：306.34 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3N；Package：SC-74；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：306.34 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN40ENA	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN40ENA	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN40ENAX	文件：306.34 Kbytes Page：15 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：306.34 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN40ENA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
43
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
53
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
4.2
QGD [typ] (nC)：
2.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
10
Ptot [max] (W)：
0.652
Qr [typ] (nC)：
8.3
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
590
Coss [typ] (pF)：
59.999996
Release date：
2019-04-11

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