PMN30UNE数据手册Nexperia中文资料规格书
PMN30UNE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Enhanced power dissipation capability of 1240 mW
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM
应用 Application
• LED driver
• Power management
• Low-side loadswitch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMN30UNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：36
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：47
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：6
- QGD [typ] (nC)
：0.90000004
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.1
- Ptot [max] (W)
：0.53
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：558
- Coss [typ] (pF)
：56
- Release date
：2016-01-29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT236 |
7350 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT23-6 |
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恩XP |
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Nexperia(安世) |
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NEXPERIA |
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