PMN25EN中文资料30 V, 6.2 A N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMN25EN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- 型号:
PMN25EN
- 功能描述:
MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT236 |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
TSOP-6 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT163 |
20300 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
TSOP6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
TSOP6 |
503550 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT457 |
880000 |
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恩XP |
19+ |
TSOP6 |
200000 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-457 |
30000 |
全新原装正品现货假一赔十 |
询价 |