PMN15ENE中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMN15ENE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMN15ENE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：24
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：32
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：6.4
- QGD [typ] (nC)
：2.1499999
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：9.5
- Ptot [max] (W)
：0.667
- VGSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：440
- Coss [typ] (pF)
：110
- Release date
：2021-11-29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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