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PMN28UN	文件：475.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：475.69 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMN28UN	文件：341.71 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™ ultra low level FET 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PMN28UN in SOT457 (TSOP6). 2. Features n TrenchMOS™ technology n Very fast switching n Low threshold voltage n Surface mount package. 3. Applications 文件：341.71 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN28UN	文件：237.23 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS??ultra low level FET 文件：237.23 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
PMN28UNE	文件：282.99 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3G；Package：SOT457；20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Low threshold voltage • Very fast switching • Electro 文件：282.99 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN28UNEX	文件：282.99 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Low threshold voltage • Very fast switching • Electro 文件：282.99 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMN28UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS ultra low level FET Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	Nexperia 安世	Nexperia
PMN28UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS™ ultra low level FET	恩XP	恩XP
PMN28UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
32
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
45
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
7.1
QGD [typ] (nC)：
1.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
6.2000003
Ptot [max] (W)：
0.57
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
489.99997
Coss [typ] (pF)：
86
Release date：
2018-04-16

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技术参数

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