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PMN28UN	文件：475.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PMN28UN	文件：341.71 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™ ultra low level FET 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMN28UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN28UN	文件：237.23 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS??ultra low level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMN28UNE	文件：282.99 Kbytes Page：15 Pages	Marking：3G；Package：SOT457；20 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •Electro	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多PMN28UN供应商更新时间2025-7-24 10:08:00