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PMN15ENE中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PMN15ENE

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

丝印标识

4K

封装外壳

SOT457

文件大小

272.33 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-8 17:02:00

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PMN15ENE规格书详情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Logic-level compatible

• Extended temperature range Tj = 175 °C

• Trench MOSFET technology

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side load switch

• Switching circuits

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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