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PMK50XP	文件：189.55 Kbytes Page：13 Pages	P-channel TrenchMOS extremely low level FET General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ 文件：189.55 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PMK50XP	文件：752.44 Kbytes Page：13 Pages	P-channel TrenchMOS extremely low level FET 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefit 文件：752.44 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMK50XP	文件：1.02573 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.02573 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMK50XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMK50XP - P-channel TrenchMOS extremely low level FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET - Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Low conduction losses due to low on-state resistance;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
P
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
-20
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
50
R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)：
70
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
-7.9
Q_GD [typ] (nC)：
1.3
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
10
P_tot [max] (W)：
5
V_GSth [typ] (V)：
-0.75
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
1020
C_oss [typ] (pF)：
140
Date：
2010-09-02

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