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PMH1200UPE_V01

30 V, P-channel Trench MOSFET

1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET te

文件:275.45 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

PMK325AC6337MM-P/MSASP32MAC6337MPNDT1

1210

TAIYO YUDEN/太阳诱电

上传:深圳市胜励微电子有限公司

TAIYO YUDEN/太阳诱电

PMK35EP

原厂

NEXPERIA

安世

上传:深圳市世正电子有限公司

PM-L25

传感器

PANASONIC/松下

上传:深圳市凌旭科技有限公司

PANASONIC/松下

PMLL4148L

原厂

NEXPERIA

安世

上传:深圳市世正电子有限公司

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更多PMH1200UPE_V01供应商 更新时间2025-11-20 15:01:00