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PMGD780SN数据手册Nexperia中文资料规格书

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厂商型号

PMGD780SN

功能描述

Dual N-channel TrenchMOS standard level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:24:00

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PMGD780SN规格书详情

描述 Description

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology.

技术参数

  • 型号:

    PMGD780SN

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH DL 60V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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SOT363
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