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PMFPB6532UP规格书详情
描述 Description
Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
技术参数
- 型号：
PMFPB6532UP
- 功能描述：
MOSFET FET-KY P-Channel 20V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SOT1118 |
480000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
新年份 |
UDFN-6 |
3000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT1118 |
32000 |
NXP/恩智浦全新特价PMFPB6532UP即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
DFN-6 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
2011+PB |
UDFN-6 |
200000 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
DFN-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
6-HUSON |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT1118 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT1118 |
60100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
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询价 |
