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PMGD175XNE规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMGD175XNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSSOP6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：252
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：319
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：0.95
- QGD [typ] (nC)
：0.26999998
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.05
- Ptot [max] (W)
：0.26
- VGSth [typ] (V)
：1
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：81
- Coss [typ] (pF)
：13
- Release date
：2016-04-15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT3636(SC706) |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-363 |
600000 |
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NEXPERIA |
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SOT-363 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT363 |
51000 |
原装正品现货 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT-363 |
2549 |
原厂原装正品 |
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恩XP |
21+ |
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3000 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
TSSOP-6 |
482000 |
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