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PMF63UN	文件：1.00855 Mbytes Page：16 Pages	丝印：V8%；Package：SC-70；20 V, single N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMF63UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMF63UNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMF63UNEA - 20 V, N-channel Trench MOSFET; ·Low threshold voltage\n·Very fast switching\n·Trench MOSFET technology\n·ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n·AEC-Q101 qualified\n; 20 V, N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMF63UN,115	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323;	NXPNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	NXP
PMF63UNE	文件：718.85 Kbytes Page：15 Pages	丝印：ZV；Package：SC-70；20 V, N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SC-70
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
65
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
74
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
2.2
QGD [typ] (nC)：
0.90000004
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.8999999
Ptot [max] (W)：
0.3
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
289
Coss [typ] (pF)：
51
Release date：
2016-04-20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMF63UN供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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