丝印：EK；Package：CFP3；High temperature 60 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier

1. General description Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A • Reverse voltage: VR ≤

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NEXPERIA

安世

Low VCEsat (BISS) transistors

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丝印：6A；Package：DSN1006-2；60 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

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安世

丝印：G7；Package：SOD123；60 V, 1 A Low VF MEGA Schottky barrier rectifier

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安世

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

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恩XP

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

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恩XP

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

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Low VCEsat (BISS) transistors

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1 A low VF dual MEGA Schottky barrier rectifier

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