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PMEG4010ETR-Q	文件：266.04 Kbytes Page：14 Pages	Hightemperature40V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEM4010PD	文件：76.02 Kbytes Page：12 Pages	PNPtransistor/Schottkydiodemodule	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PS4010	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	PHOTOINTERRUPTERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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PMEG4010ETR-Q

文件：266.04 Kbytes

Page：14 Pages

Hightemperature40V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PMEM4010PD

文件：76.02 Kbytes

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PNPtransistor/Schottkydiodemodule

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

PS4010

文件：136.09 Kbytes

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PHOTOINTERRUPTERS

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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技术参数

Package name：
SOD123F
Size (mm)：
2.6 x 1.6 x 1.1
VR [max] (V)：
40
IF [max] (A)：
1
Number of functions：
single
Configuration：
single
VF [typ] @25 C (mV)：
490
VF [max] @25 C (mV)：
570
IR [typ] @25 C (µA)：
6
IR [max] @25 C (µA)：
50
Cd [max] (pF)：
77
Automotive qualified：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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