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PMEG2010EV中文资料Low VF MEGA Schottky barrier diode数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PMEG2010EV |
| 参数属性 | PMEG2010EV 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666 |
| 功能描述 | Low VF MEGA Schottky barrier diode |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:15:00 |
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PMEG2010EV规格书详情
描述 Description
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection in a SOT666 ultra small SMD plastic package.
特性 Features
• Forward current: 1 A
• Reverse voltage: 20 V
• Very low forward voltage
• Ultra small SMD package
• Flat leads: excellent coplanarity and improved thermal behaviour.
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Low voltage rectification
• High efficiency DC/DC conversion
• Switch mode power supply
• Inverse polarity protection
• Low power consumption applications.
技术参数
- 制造商编号
：PMEG2010EV
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT666
- Package name
：SOT666
- Size (mm)
：1.6 x 1.2 x 0.55
- I_F (A)
：1
- V_R (V)
：20
- Configuration
：single
- I_R [max] (mA)
：0
- I_FSM [max] (A)
：8
- C_d [max] (pF)
：25@VR=5V
- V_F [max] (mV)
：550@IF=1A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT666 |
80000 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT666 |
32000 |
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恩XP |
21+ |
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PHI |
22+ |
SOT-563 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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恩XP |
06+ |
SOT666 |
8000 |
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询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT666 |
8800 |
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PHI |
2022+ |
SMD |
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恩XP |
2025+ |
SOT363 |
3785 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
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Nexperia(安世) |
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SOT6666 |
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