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PMEG200G30ELP分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

PMEG200G30ELP
厂商型号

PMEG200G30ELP

参数属性

PMEG200G30ELP 封装/外壳为SOD-128;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:PMEG200G30ELP/SOD128/FLATPOWER

功能描述

200 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier
PMEG200G30ELP/SOD128/FLATPOWER

文件大小

250.67 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 22:30:00

PMEG200G30ELP规格书详情

Features

• Low forward voltage and low Qrr

• Extremely low leakage current

• Thermal stability up to 175 °C junction temperature

• Fast and smooth switching

• Low parasitic capacitance

• AEC-Q101 qualified

Benefits

• Excellent efficiency

• Extraordinary safe operating area

• Minimal impact on Electro-Magnetic Compatibility (EMC)

allowing simplified certification

PMEG200G30ELP属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PMEG200G30ELP二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

  • 产品编号:

    PMEG200G30ELPX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-128

  • 供应商器件封装:

    SOD-128/CFP5

  • 描述:

    PMEG200G30ELP/SOD128/FLATPOWER

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