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PMEG200G10ELR分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PMEG200G10ELR |
| 参数属性 | PMEG200G10ELR 封装/外壳为SOD-123W；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单；产品描述：PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2 |
| 功能描述 | 200 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier |
| 文件大小 |
256.66 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-20 23:00:00 |
PMEG200G10ELR规格书详情
Features
• Low forward voltage and low Qrr
• Extremely low leakage current
• Thermal stability up to 175 °C junction temperature
• Fast and smooth switching
• Low parasitic capacitance
• AEC-Q101 qualified
Benefits
• Excellent efficiency
• Extraordinary safe operating area
• Minimal impact on Electro-Magnetic Compatibility (EMC)
allowing simplified certification
PMEG200G10ELR属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PMEG200G10ELR二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
- 产品编号：
PMEG200G10ELRX
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOD-123W
- 供应商器件封装：
SOD-123W
- 描述：
PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOD123W |
7350 |
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询价 | ||
NXP |
2016+ |
SOD323 |
2600 |
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LSSJ |
1736+ |
SOD-523 |
8298 |
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NXP |
2015+ |
SMD |
19998 |
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NXP |
2017+ |
SMD |
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Nexperia |
23/22+ |
NA |
9000 |
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NXP |
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SOD-523 |
1400 |
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NEXPERIA-安世 |
24+25+/26+27+ |
车规-二极管 |
26528 |
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PHILIPS |
23+ |
原厂封装 |
12300 |
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NXP |
17+ |
NA |
6200 |
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询价 |
