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PR2002G	文件：62.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •FastSwitchingforHighEfficiency •SurgeOverloadRatingto80APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2002G	文件：266.51 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIERDIODES VOLTAGERANGE:50-1000VCURRENT:2.0A Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●DiffusedJunction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto80APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial:ULFla	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PR2002G	文件：134.29 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR2002G-T	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2002-T	文件：368.07 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PT2002	文件：240.72 Kbytes Page：4 Pages	3CH,2.2W,Class-DAudioPowerAmplifier DESCRIPTION ThePT2002isaClass-Dpoweramplifierdesignedforaudioequipments,maximumoutputpowercanreachupto2.2Wx3CH(VDD=5V,RL=4Ω,THD=10).ThePT2002composedofexclusivelydesignedClass-Dcircuitry(patented)byPTC,alongwiththemostadvancedsemi-conductortechnology	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2002-TX	文件：240.72 Kbytes Page：4 Pages	3CH,2.2W,Class-DAudioPowerAmplifier DESCRIPTION ThePT2002isaClass-Dpoweramplifierdesignedforaudioequipments,maximumoutputpowercanreachupto2.2Wx3CH(VDD=5V,RL=4Ω,THD=10).ThePT2002composedofexclusivelydesignedClass-Dcircuitry(patented)byPTC,alongwiththemostadvancedsemi-conductortechnology	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	PMEG2002AESFBYL	Nexperia/安世	22+	SOD962B	180000	原厂原装正品现货	询价
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