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PMDPB85UPE中文资料安世数据手册PDF规格书

PMDPB85UPE
厂商型号

PMDPB85UPE

功能描述

20 V dual P-channel Trench MOSFET

丝印标识

2C

封装外壳

SOT1118

文件大小

1.47554 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 15:34:00

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PMDPB85UPE规格书详情

1.1 General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Low threshold voltage

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD)

protection

1.3 Applications

 Relay driver

 High-speed line driver

 High-side load switch

 Switching circuits

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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