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PMDPB70XP中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PMDPB70XP

功能描述

30 V, dual P-channel Trench MOSFET

丝印标识

1H

封装外壳

SOT1118

文件大小

1.72579 Mbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 11:25:00

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PMDPB70XP规格书详情

1.1 General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless

ultra thin SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

 Small and leadless ultra thin SMD

plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

 Exposed drain pad for excellent

thermal conduction

1.3 Applications

 Charging switch for portable devices

 DC/DC converters

 Small brushless DC motor drive

 Power management in battery-driven

portables

 Hard disc and computing power

management

产品属性

  • 型号:

    PMDPB70XP

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan -30V -3.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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