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PMDPB70XP	文件：1.72579 Mbytes Page：15 Pages	Marking：1H；Package：SOT1118；30 V, dual P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription DualP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallandleadless ultrathinSOT1118Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology Smallan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDPB70XP	文件：845.37 Kbytes Page：15 Pages	30 V, dual P-channel Trench MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMDPB70XPE	文件：1.41848 Mbytes Page：15 Pages	Marking：2B；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching TrenchMOSFETtechn	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDPB70XP_15	文件：1.11741 Mbytes Page：15 Pages	30 V, dual P-channel Trench MOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
PMDPB70XP
功能描述：
MOSFET P-Chan -30V -3.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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