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PMDPB42UN_AD/亚德诺_20 V, dual N-channel Trench MOSFET博通航睿技术
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:PMDPB42UN
- 生产厂家
:恩智浦
- FET 功能
:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss)
:20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:3.9A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:50 毫欧 @ 3.9A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:1V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:3.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:185pF @ 10V
- 功率 - 最大值
:510mW
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装
:DFN2020-6
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