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PMDPB42UN

20 V, dual N-channel Trench MOSFET

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Nexperia

安世

PMDPB42UN

丝印:1L;Package:DFN2020-6;20 V, dual N-channel Trench MOSFET

文件:1.07309 Mbytes 页数:16 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

PMDPB42UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

恩XP

恩智浦

恩XP

PMEG100V100ELPD

NEXPERIA
原厂

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

上传:深圳市世正电子有限公司

PMEG4005EGWX

NXP
SOD123

恩XP

技术参数

  • FET 功能:

    逻辑电平门

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    3.9A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    50 毫欧 @ 3.9A,4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    1V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    3.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    185pF @ 10V

  • 功率 - 最大值:

    510mW

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN2020-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PMDPB42UN供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00