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PMDPB38UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
PMDPB38UNE	文件：335.89 Kbytes Page：14 Pages	丝印：1S；Package：DFN2020-6；20 V dual N-channel Trench MOSFET 文件：335.89 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG100V100ELPD	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA 原厂	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：深圳市世正电子有限公司	NEXPERIA
PMEG4005EGWX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SOD123	恩XP 上传：亚泰电子科技有限公司	恩XP
PMEG4030ER	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SOD123	恩XP 上传：深圳市乐创天科技有限公司	恩XP

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更多PMDPB38UNE供应商更新时间2025-10-12 14:00:00