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PMDPB38UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
PMDPB38UNE	文件：335.89 Kbytes Page：14 Pages	丝印：1S；Package：DFN2020-6；20 V dual N-channel Trench MOSFET 文件：335.89 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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深圳市安富世纪电子有限公司	PMDPB38UNE	恩XP	23+	DFN2020	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多PMDPB38UNE供应商更新时间2026-1-27 14:00:00