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PMD09N50M

MOSFET

Potens

博盛半导体

AP09N50I

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:64.87 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP09N50I-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:64.95 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP09N50P-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:100.64 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • V(BR)DSS (V) Min.:

    500

  • VGS (±V) Max.:

    30

  • Vth (V) Max.:

    4

  • RDS(ON) (mΩ) Max.@VGS=10V:

    800

  • Ciss(pF)Typ.:

    920

  • Coss(pF)Typ.:

    103

  • Crss(pF)Typ.:

    15

  • Qg(nC)Typ.@VGS=10V:

    28

  • Qgs(nC)Typ.:

    5.4

  • Qgd(nC)Typ.:

    10.2

  • ID(A)@25℃ Max.:

    9

  • PD(W)@25℃ Max.:

    89

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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NK/南科功率
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更多PMD09N50M供应商 更新时间2025-10-9 14:01:00