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PMD05N50M

MOSFETs

Potens

博盛半导体

SDF05N50

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件:195.62 Kbytes 页数:11 Pages

Samhop

三合微科

SSD05N50SL

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.33135 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

UT05N50F

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:979.62 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

技术参数

  • 组态:

    Single

  • MOS类型:

    N

  • VDS(V):

    500

  • VGS(V):

    ±30

  • Vth(V):

    2/3/4

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V:

    1100/1500

  • Ciss(pF):

    570

  • Coss(pF):

    64

  • Crss(pF):

    8

  • Qg(nC)_10V:

    17

  • Qgs(nC):

    3.6

  • Qgd(nC):

    6.5

  • Rg W:

    2.6

  • EAS (mJ):

    280

  • ID(A)_Tc=25℃:

    5

  • ID(A)_Tc=100℃:

    3.1

  • PD(W)_Tc=25℃:

    52

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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更多PMD05N50M供应商 更新时间2025-11-24 10:00:00