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PMCXB290UE	文件：372.07 Kbytes Page：19 Pages	丝印：C；Package：SOT1216；20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching 文件：372.07 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMCXB290UE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection typically > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMDT290UCE	文件：334.71 Kbytes Page：20 Pages	20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD 文件：334.71 Kbytes 页数：20 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDT290UNE	文件：186.61 Kbytes Page：16 Pages	20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：186.61 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
N/P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
320
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
480
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.93
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.6
Ptot [max] (W)：
0.28
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43.6
Coss [typ] (pF)：
10.099999
Release date：
2023-05-26

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