PMCB60XN中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMCB60XN规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DSN1006-3 (SOT8026) Surface-Mounted Device (SMD) package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Ultra small package: 1 × 0.6 × 0.2 mm
• Trench MOSFET technology
应用 Application
• Battery switch
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMCB60XN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DSN1006-3
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：50
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：65
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：4.5
- QGD [typ] (nC)
：0.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：2
- Ptot [max] (W)
：0.48
- VGSth [typ] (V)
：0.8
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：241
- Coss [typ] (pF)
：117.00001
- Release date
：2021-07-16
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2511 |
DSN1006-3 |
360000 |
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