PMC85XP数据手册分立半导体产品的晶体管-特殊用途规格书PDF
| 厂商型号 |
PMC85XP |
| 参数属性 | PMC85XP 封装/外壳为6-UFDFN 裸露焊盘；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途；PMC85XP应用范围：通用；产品描述：MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON |
| 功能描述 | 30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor |
| 封装外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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PMC85XP规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFET technology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• NPN transistor built-in bias resistors
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• High-side load switch
• USB port overvoltage protection
• Power management in battery-driven portables
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMC85XP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Product status
：Production
- V_DS [max] (V)
：-30
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：110
- R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)
：140
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：-3.4
- Q_GD [typ] (nC)
：0.95
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)
：5.2
- P_tot [max] (W)
：0.465
- V_GSth [typ] (V)
：-0.78
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：680
- C_oss [typ] (pF)
：54
- Date
：2012-06-05
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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标准封装 |
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恩XP |
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NEXPERIA |
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DFN2020-6 |
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NEXPERIA/安世 |
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DFN2020-6 |
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