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PMC85XP	文件：238.67 Kbytes Page：15 Pages	30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFET technology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits • Trench MOSFET technol 文件：238.67 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMC85XP	文件：725.2 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1K；Package：SOT1118；30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFET technology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Trench MOSFET 文件：725.2 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMC85XP_15	文件：238.67 Kbytes Page：15 Pages	30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor 文件：238.67 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMC85XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V P-channel MOSFET with pre-biased NPN transistor P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in Trench MOSFET technology and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) together in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • Trench MOSFET technology\n• NPN transistor built-in bias resistors\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction;	Nexperia 安世	Nexperia
PMC85XP,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-UFDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 特殊用途描述：MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN2020-6
Product status：
Production
V_DS [max] (V)：
-30
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
110
R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)：
140
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
-3.4
Q_GD [typ] (nC)：
0.95
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
5.2
P_tot [max] (W)：
0.465
V_GSth [typ] (V)：
-0.78
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
680
C_oss [typ] (pF)：
54
Date：
2012-06-05

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