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PMCA14UN	文件：286.79 Kbytes Page：15 Pages	12 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DSN1010-3 (SOT8007) Surface-Mounted Device (SMD) package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Ultra small package: 0.9 文件：286.79 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMCA14UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DSN1010-3 (SOT8007) Surface-Mounted Device (SMD) package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Ultra small package: 0.96 × 0.96 × 0.24 mm\n• Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
PMD1000	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP48	ALLEGRO 上传：深圳市高捷芯城科技有限公司	ALLEGRO
PMD1000	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP48	ALLEGRO/雅丽高上传：深圳市明盛嘉电子科技有限公司	ALLEGRO/雅丽高
PM-DB2725EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP8	HOLT 上传：深圳市华康联电子科技有限公司	HOLT

技术参数

Package name：
DSN1010-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
12
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
16
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
21
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
14
QGD [typ] (nC)：
3.2
Ptot [max] (W)：
1.2
VGSth [typ] (V)：
0.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
855
Coss [typ] (pF)：
257
Release date：
2020-08-07

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PMCA14UNYL	Nexperia(安世)	24+	DSN3	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市博中泰实业有限公司	PMCA-6390-0-WLNSP49D-HR-01-0-03	QUALCOMM/高通	24+	QFN	60000	全新原装现货	询价
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更多PMCA14UN供应商更新时间2025-11-26 9:29:00

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