PMBT5551数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
PMBT5551规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complement: PMBT5401.FEATURES
• Low current (max. 300 mA)
• High voltage (max. 160 V).APPLICATIONS
• General purpose
• Telephony.
特性 Features
• Low current (max. 300 mA)
• High voltage (max. 160 V).
技术参数
- 产品编号：
PMBT5551,235
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
300MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
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