| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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3000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
50316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
46048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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NEXPERIA B.V.SMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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NXPSOT23 |
6000 |
22+ |
原厂/代理渠道价格优势 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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EXPERIASOT23 |
963000 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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NEXPERIATube |
75000 |
23+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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NEXPERIASOT23 |
60000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NXPSOT23 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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NXPSOT23 |
39 |
10+ |
只做进口原装现货深圳 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦 |
454500 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
9398 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Nexperia(安世)SOT-23(TO-236) |
7957 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
39524 |
23+ |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NXPSOT23 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦242 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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NXPNA |
10658 |
23+ |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
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PMBT5551,215价格
PMBT5551,215价格：￥0.1245品牌：NXP
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PMBT5551中文资料Alldatasheet PDF
更多PMBT5550制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 140V 0.3A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 140V, 0.3A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 140V, 0.3A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:60; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
PMBT5550 /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5550 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5550,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5550,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5551制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 0.3A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.3A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.3A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Min:-65C; Operating ;RoHS Compliant: Yes
PMBT5551,215功能描述:两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5551,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5551215制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1
PMBT5551T/R功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23
