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SBT5401F	文件：192.98 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5551F	AUK AUK corp	AUK
SBT5401F	文件：242.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
SBT5401F	文件：267.38 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=-160V,VCEO=-160V •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5551F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5401F	文件：267.38 Kbytes Page：5 Pages	Generalpurposeamplifier	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SD5401	文件：226.84 Kbytes Page：4 Pages	QUADN-CHANNELLATERALDMOSJFETSWITCHTYPICALCHARACTERISTICS QUADN-CHANNELLATERALDMOSJFETSWITCHTYPICALCHARACTERISTICS	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5401	文件：505.48 Kbytes Page：3 Pages	QUADN-CHANNELLATERALDMOSSWITCHZENERPROTECTED Description TheSD5000/5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Features •	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5401	文件：37.49 Kbytes Page：3 Pages	High-SpeedDMOSQuadFETAnalogSwitchArrays DESCRIPTION TheSD5000Seriesaremonolithicarraysoffourbidirectional,highperformanceanalogswitchesmanufacturedwithimplantedhigh-speed,high-voltageandlowresistancedouble-difusedMOS(DMOS)process.Themaximumthresholdof2VpermitssimpleTTLandCMOSdrivinginsmallsignala	Calogic Calogic, LLC	Calogic
SD5401	文件：45.66 Kbytes Page：3 Pages	High-SpeedDMOSQuadFETAnalogSwitchArrays	Calogic Calogic, LLC	Calogic
SD5401CY	文件：505.48 Kbytes Page：3 Pages	QUADN-CHANNELLATERALDMOSSWITCHZENERPROTECTED Description TheSD5000/5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Features •	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5401CY	文件：357.2 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDDMOSFETANALOGSWITCHESANDSWITCHARRAYS Description TheSD210DE/214DEareenhancement-modeMOSFETsdesignedforhighspeedlow-glitchswitchinginaudio,video, andhigh-frequencyapplications.TheSD214DEisnormallyusedfor±10-Vanalogswitching.TheseMOSFETsutilizelateral constructiontoachievelowcapacitanceandult	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR

详细参数

型号：
PMBT5401,215
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP HV 300mA 150V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PMBT5401,215供应商更新时间2025-6-21 10:09:00

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