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PMBT4403YS分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PMBT4403YS |
| 参数属性 | PMBT4403YS 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 0.6A TO236AB |
| 功能描述 | 40V, 600 mA double PNP switching transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TSSOP6 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
704.66 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找货 | PMBT4403YS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PMBT4403YS规格书详情
General description
Double PNP switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Double NPN complement: PMBT4401YS
Features and benefits
• Double general-purpose switching transistor
• AEC-Q101 qualified
Applications
• Switching and linear amplification
产品属性
- 产品编号：
PMBT4403YSX
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT3236 |
7350 |
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PHI |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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Nexperia/安世 |
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SOT-23 |
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24+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
10990 |
原装正品 |
询价 |
