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PZT3906	文件：179.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
PZT3906-C	文件：224.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •LowVoltageandLowCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBT3906	文件：247.1 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3904	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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详细参数

型号：
PMBT3906T/R
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMBT3906T/R供应商更新时间2025-7-23 16:06:00

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