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PZT3904	文件：700.7 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3906	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT3904	文件：160.3 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
PZT3904	文件：225.85 Kbytes Page：1 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3904	文件：1.03267 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SurfaceMountSOT-223Package •LowVoltageandLowCurrent •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:ZT3904	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PZT3904	文件：1.64227 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoTPPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PZT3904-C	文件：356.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •LowVoltageandLowCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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