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PN2907A	文件：324.65 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN2907A	文件：316.13 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS ComplementarySiliconTransistorsforSwitchingandLinearApplications.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
PN2907A	文件：103.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneral-PurposeTransistor Description Thisdeviceisdesignedforusewithgeneral−purposeamplifiersand switchesrequiringcollectorcurrentsto500mA. ThesedevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree,BerylliumFree andareRoHScompliant.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PN2907A	文件：301.65 Kbytes Page：1 Pages	PNPOUTPUTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PN2907A	文件：691.66 Kbytes Page：11 Pages	60VPNPGeneral-PurposeTransistor Features •HighDCCurrentGain(hFE)Range:100~300 •High-CurrentGainBandwidthProduct(fT): 200MHz(Minimum) •MaximumTurn-OnTime(ton):45ns •MaximumTurn-OffTime(toff):100ns •Ultra-SmallSurface-MountPackage:SOT-223(PZT2907A) Description ThePN2907A,MMBT2907A,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PN2907A-AP	文件：61.46 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR ■TO-92PACKAGESUITABLEFOR THROUGH-HOLEPCBASSEMBLY ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEISPN2222A APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORTVANDHOMEAPPLIANCEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITH HIGHGAINANDLOW	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PN2907A-AP	文件：131.43 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PN2907A-BP	文件：131.43 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PN2907ABU	文件：685.14 Kbytes Page：11 Pages	PN2907A/MMBT2907A/PZT2907A60VPNPGeneralPurposeTransistor Description ThePN2907A,MMBT2907A,andPZT2907Aare60V-PNPbipolartransistorsdesignedforuseasageneral-purposeamplifierorswitchinapplicationsthatrequireupto500mA.Offeredinanultra-smallsurface-mountpackage(SOT-223),thePZT2907Aisidealforspace-constrainedsystems.T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN2907ABU	文件：691.66 Kbytes Page：11 Pages	60VPNPGeneral-PurposeTransistor Features •HighDCCurrentGain(hFE)Range:100~300 •High-CurrentGainBandwidthProduct(fT): 200MHz(Minimum) •MaximumTurn-OnTime(ton):45ns •MaximumTurn-OffTime(toff):100ns •Ultra-SmallSurface-MountPackage:SOT-223(PZT2907A) Description ThePN2907A,MMBT2907A,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Package name：
DFN1006B-3
Size (mm)：
1 x 0.6 x 0.37
Polarity：
PNP
VCEO [max] (V)：
-60
IC [max] (mA)：
-600
hFE [max]：
300
hFE [min]：
100
fT [min] (MHz)：
200
toff (ns)：
365
Complement：
PMBT2222AMB
Ptot [max] (mW)：
250

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