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PMBFJ110	文件：36.29 Kbytes Page：6 Pages	N-channel junction FETs DESCRIPTION SymmetricalN-channeljunctionFETsinaSOT23envelope.Intendedforuseinapplicationssuchasanalogswitches,choppersandcommutatorsandinaudioamplifiers. FEATURES •High-speedswitching •Interchangeabilityofdrainandsourceconnections •LowRDSonatzerogatevoltag	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBFJ110	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMBFJ110,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - JFET 描述：JFET N-CH 25V 250MW SOT23	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
PMF110A	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
PMF110A	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷电子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PMF110A	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PMF110CA	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
PMF110CA	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷电子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
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PM-OM110	文件：159.88 Kbytes Page：5 Pages	COMMONMODELINECHOKES	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI

详细参数

型号：
PMBFJ110
功能描述：
JFET JFET N-CH 25V 6MA
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
50 mA 漏源电压
VDS：
15 V
漏极连续电流：
50 mA
封装/箱体：
SC-59
封装：
Reel

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更多PMBFJ110供应商更新时间2025-5-23 23:00:00

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