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PMF170A	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
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PMF170XP	文件：246.37 Kbytes Page：15 Pages	20V,1AP-channelTrenchMOSFET	ETC	ETC
PMF170XP	文件：264.69 Kbytes Page：14 Pages	20V,1AP-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaSOT323(SC-70)smallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •LowRDSon •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Applications •Re	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV170UN	文件：320.8 Kbytes Page：15 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV170UN	文件：368.74 Kbytes Page：4 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

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