PMBF170中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PMBF170规格书详情
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT23 envelope. Designed for use as a Surface Mounted Device (SMD) in thin and thick-film circuits with applications in relay, high-speed and line transformer drivers.
FEATURES
• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
• High-speed switching
• No secondary breakdown
产品属性
- 型号：
PMBF170
- 功能描述：
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT23 |
880000 |
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恩XP |
24+ |
SOT23 |
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恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
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恩XP |
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SOT23 |
108000 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
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PHI |
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恩XP |
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NEXP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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SOT23 |
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