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PMBF170	文件：56.11 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT23envelope.DesignedforuseasaSurfaceMountedDevice(SMD)inthinandthick-filmcircuitswithapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-s	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBF170	文件：379.48 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: PMBF170inSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applica	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMF170A	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
PMF170A	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷电子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PMF170A	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PMF170CA	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
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PMF170CA	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PMF170XP	文件：264.69 Kbytes Page：14 Pages	20V,1AP-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaSOT323(SC-70)smallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •LowRDSon •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Applications •Re	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV170UN	文件：320.8 Kbytes Page：15 Pages	20V,singleN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PMBF170
功能描述：
MOSFET TAPE7 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多PMBF170供应商更新时间2025-6-14 16:36:00

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