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PSKT170

Thyristor/DiodeModules

POWERSEM

Powersem GmbH,

PV170-MPCIE

miniPCIeDiskModule

ApacerApacer Technology Inc.

宇瞻宇瞻科技股份有限公司

PW170KB

Universal10??15WattSeries

SLPOWER

SL Power Electronics

Q170

6th/7thGenIntel®CoreTMProcessormicroATX

Features •4DDR4DIMMupto64GB •Threeindependentdisplays:VGA+DVI-I+DP++ •DP++resolutionupto4096x2106@60Hz •Multipleexpansion: 2PCIex16(1x16or2x8signal),2PCIex4,1M.2,1LPC •RichI/O:4IntelGbE,6COM,6USB3.0,6USB2.0 •LPCEXT-RS232/485moduleextend

DFIDFI Inc

友通资讯友通资讯股份有限公司

QMR170

MOLDEDPARTS

QUALTEK

Qualtek Electronics Corporation

QO170

MiniCB,QO,70A,1P,120/240V,10kA,Plugin

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

QO170VH

MiniCB,QO,70A,1P,120/240V,22kA,Plugin

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

QOB170

MiniCB,QO,70A,1P,120/240V,10kA,Bolton

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

QOB170VH

MiniCB,QO,70A,1P,120/240V,22kA,Bolton

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

QOU170

QOUMiniatureCircuitBreaker,70A,1P,120/240V,10kA

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

详细参数

  • 型号:

    PMBF170,235

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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24+
SOT-23(TO-236)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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更多PMBF170,235供应商 更新时间2025-7-25 16:12:00